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SLM2001S

200V低压驱动芯片

样片申请

SLM2001S Datasheet

产品概述

产品特性（xìng）

安（ān）规认（rèn）证

典型应用图

产品概述

SLM2001S是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集（jí）成电路和锁存免疫的CMOS技术（shù）可提供可靠的（de）单芯（xīn）片驱动方案（àn）。逻辑输入（rù）电平与标（biāo）准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻（luó）辑。输出驱动（dòng）器具有高脉（mò）冲（chōng）电流缓冲级，以减小（xiǎo）驱（qū）动（dòng）器（qì）交叉导通。浮动通道可用于驱动高边（biān）配置的（de）N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压（yā）可高（gāo）达200V。

产品特性

为自举操作设计的（de）浮动通（tōng）道

完全运行（háng）时电（diàn）压高达（dá） 200V

容许瞬间负电（diàn）压（yā），不受 dV/dt 影响

驱动电（diàn）源范围从 10V 到 20V

欠压（yā）闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入（rù）兼（jiān）容

驱动电流：290 mA/600 mA

防止交叉导通逻辑

两通道间匹配传（chuán）输延迟

输出信号与输入信号同相

通（tōng）过无铅认（rèn）证