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SLM2005E

200V低压驱（qū）动（dòng）芯（xīn）片（piàn）

样片（piàn）申请

SLM2005E Datasheet

产品概（gài）述

产品特性

安（ān）规认证

典（diǎn）型应用图

产（chǎn）品概述

SLM2005E 是一款高压、高速的功率（lǜ）MOSFET和IGBT驱动器。采（cǎi）用专（zhuān）有的高压集成（chéng）电路和锁（suǒ）存免疫的CMOS技术可提供（gòng）可靠的单（dān）芯片驱动方案。逻辑输入电平（píng）与（yǔ）标准（zhǔn）CMOS或LSTTL输（shū）出兼容，最（zuì）低支（zhī）持3.3V逻辑。输出驱动器具有（yǒu）高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高边配（pèi）置（zhì）的N型沟道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工作电压可（kě）高（gāo）达200V。

产品特性

为自举（jǔ）操作设计的浮动（dòng）通道

完（wán）全（quán）运行时电压（yā）高（gāo）达 200V

容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭（bì）锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉导通逻辑

两（liǎng）通（tōng）道间匹配传（chuán）输延迟

输出信号与输（shū）入信号同相

通过（guò）无铅认证（zhèng）