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SLM2106B

600V, 450mA/950mA 高（gāo）低边驱（qū）动

样片（piàn）申请

SLM2106B Datasheet

产品概述

产（chǎn）品特性

安规认证

典型应用图

产品概述

SLM2106B是一款高压、高（gāo）速的功（gōng）率MOSFET和IGBT驱动器（qì），它提供独立的高边、低边输出驱（qū）动信号。采用（yòng）专有的高压集成电路和锁（suǒ）存免疫CMOS技术（shù），提供可靠的单芯片驱（qū）动方案（àn）。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输（shū）出驱动器具有高脉（mò）冲电流缓冲级，以减（jiǎn）小（xiǎo）驱动器（qì）交叉导通。浮动（dòng）通道可用于（yú）驱动高边配置（zhì）的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压可高达600V。

产品特性

为自举（jǔ）供电（diàn）设计的浮动通道

全电压范（fàn）围（wéi）运行达600V

允许（xǔ）瞬态（tài）负电压，不受dV/dt影响

驱动电源范围从10V到20V

欠（qiàn）压闭（bì）锁（suǒ）

3.3V，5V和15V逻辑（jí）兼容

两通道间匹配传输延时

典型开通/关断延时：160ns/220ns

典型（xíng）驱动（dòng）电流：450mA/950mA

输入输出同（tóng）相

SOP8封装（zhuāng）