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SiLM2014A

200V低（dī）压驱动芯片

样片（piàn）申请

SiLM2014A_Datasheet

产品（pǐn）概述

产品特性

安规认证

典型（xíng）应（yīng）用图

产品概（gài）述

SiLM2014A 是（shì）一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有（yǒu）的高压集成电路和锁存免疫的CMOS技术可提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标（biāo）准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻（luó）辑。输（shū）出驱动（dòng）器（qì）具有高脉（mò）冲（chōng）电流缓冲（chōng）级，以减（jiǎn）小驱动器（qì）交（jiāo）叉导通（tōng）。浮（fú）动通道可（kě）用（yòng）于驱动高边配置的N型（xíng）沟道功率（lǜ）MOSFET或（huò）IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性（xìng）

为自举操作设（shè）计的（de）浮（fú）动通道

完全运（yùn）行时电压高达（dá） 200V

容许瞬（shùn）间负电（diàn）压，不受（shòu） dV/dt 影响

驱动电源范围从 10V 到（dào） 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和（hé） 15V 逻辑输入兼容

驱动（dòng）电（diàn）流：1A/1.5A

防止交叉（chā）导通（tōng）逻辑

两通道（dào）间匹配传输延迟

输出信（xìn）号与输入信号同相

通（tōng）过（guò）无铅认证