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SiLM2024

200V, 290/600mA 半桥（qiáo）驱动

样片申请

SiLM2024 Datasheet

产品概（gài）述（shù）

产（chǎn）品（pǐn）特性

安规（guī）认（rèn）证

典型应用图

产品概述

SiLM2024 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动（dòng）器。采用（yòng）专有的高压集（jí）成电路（lù）和锁（suǒ）存（cún）免疫的CMOS技（jì）术可提供（gòng）可靠（kào）的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容（róng），最低支（zhī）持3.3V逻辑。输出驱动器（qì）具有（yǒu）高脉（mò）冲电流缓冲级，以减小驱动器（qì）交叉（chā）导通。浮动通道可用于驱动高边配置的（de）N型沟道功率MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压（yā）可高达200V。

产品特性（xìng）

为自举操作设计的浮动通道

完（wán）全运行时电压高达 200V

容（róng）许（xǔ）瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱（qū）动电源范围从（cóng） 10V 到 20V

欠压闭锁

3.3V、5V、15V逻辑输入兼容

驱（qū）动电流（liú）：290mA/600mA

典型的（de）开通/关断延时（shí）：680 ns/150 ns

死（sǐ）区时（shí）间：520 ns

防止交叉导通逻辑

两通道间（jiān）匹配传输延（yán）迟